国家知识产权局信息数据显现，中天晶科（宁波）半导体资料有限公司请求一项名为“一种碳化硅外延片及其成长办法”的专利，公开号CN121228352A，请求日期为2025年9月。

　　专利摘要显现，本发明供给一种碳化硅外延片及其成长办法，该成长办法有以下过程：将碳化硅衬底载入外延炉的成长腔室；调理所述成长腔室内的外延成长温度，以及碳源与硅源的碳硅比，在所述碳化硅衬底上成长方针标准的外延层；其间，界说所述外延成长温度与所述碳硅比的比值为温硅比，用W表明，1700≤W≤2300，能改进碳化硅外延层厚度均匀性差的技术问题。

　　天眼查资料显现，中天晶科（宁波）半导体资料有限公司，成立于2019年，坐落宁波市，是一家以从事非金属矿藏制品业为主的企业。企业注册资本53423.3332万人民币。经过天眼查大数据分析，中天晶科（宁波）半导体资料有限公司参加招投标项目450次，产业线条，此外企业还具有行政许可15个。

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